类型：N沟道MOSFET
　　耐压（Vds）：600V
　　最大连续漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：260mΩ
　　栅极电荷（Qg）：49nC
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：PG-TO247-3

MMD60R260S6ZRH 是CoolMOS? C6系列的一员，具有出色的导通和开关损耗平衡，适用于高效率电源系统。其采用先进的超结技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了能效。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升整体系统效率。
　　该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力条件下的可靠性。其封装设计优化了热管理，使得在高负载下依然能够保持良好的散热性能，适用于高功率密度的设计需求。MMD60R260S6ZRH 还具备优异的短路耐受能力，适用于需要高稳定性的电源转换系统。
　　此外，该器件符合RoHS标准，支持环保设计，适用于各种高要求的工业与通信电源应用。

MMD60R260S6ZRH 主要应用于高效率电源转换系统，包括服务器电源、电信整流器、工业电源、LED驱动器以及光伏逆变器等。由于其出色的导通与开关性能，该MOSFET特别适用于需要高效能、高可靠性的开关电源（SMPS）系统。其良好的热管理能力和高耐压特性，也使其成为高频电源设计中的理想选择。此外，该器件还可用于电机控制、不间断电源（UPS）及电池管理系统等应用场景。

SPA60R260S6 | IPP60R260S6XKSA1