NX8560LJ606-CC 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)推出的高效能、双通道、N沟道增强型功率MOSFET驱动器集成电路。该器件专为高频率开关应用而设计,广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和同步整流等领域。NX8560LJ606-CC采用先进的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺制造,具有高集成度、低功耗和出色的热稳定性。该芯片封装形式为TSSOP,便于在紧凑空间内使用。
类型:MOSFET驱动器
通道数:双通道
工作电压范围:4.5V ~ 18V
输出电流能力:高端和低端均为1A
输入信号兼容性:CMOS/TTL电平
传播延迟时间:典型值25ns
上升/下降时间:典型值10ns(负载为1nF时)
工作温度范围:-40°C ~ +125°C
封装类型:TSSOP-14
NX8560LJ606-CC 具备多项先进功能,能够满足高性能电源转换系统的需求。首先,其双通道架构允许同时驱动两个独立的MOSFET或IGBT器件,非常适合用于同步降压或升压拓扑结构。
其次,该驱动器支持宽输入电压范围(4.5V至18V),使其适用于多种供电环境,包括电池供电系统和工业电源。
该芯片具备强大的输出驱动能力,高端与低端输出均可提供高达1A的峰值电流,从而加快MOSFET的开关速度,降低开关损耗,提高整体效率。
NX8560LJ606-CC还集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,确保在电源电压不足时自动关闭输出,防止MOSFET误操作,提升系统的可靠性。
此外,该器件具有较短的传播延迟(Typ. 25ns)和快速的上升/下降时间(Typ. 10ns),适合高频开关应用,有助于减小外部元件尺寸并提高系统响应速度。
为了增强系统的稳定性和抗干扰能力,NX8560LJ606-CC采用了互锁机制,防止上下管同时导通,避免直通电流的发生。
最后,该IC具备良好的热管理性能,在高负载条件下也能保持稳定运行,且其TSSOP封装形式有利于PCB布局和散热处理。
NX8560LJ606-CC 被广泛应用于各类需要高效MOSFET驱动的电子系统中。例如,在DC-DC转换器中,该芯片可用于驱动同步整流MOSFET,以提高转换效率;在电机驱动电路中,它可以作为H桥结构的驱动核心,实现对直流电机或步进电机的精准控制;在工业自动化设备中,NX8560LJ606-CC常用于驱动继电器、电磁阀等大功率负载;此外,该器件也适用于太阳能逆变器、电动汽车充电模块以及LED照明调光系统等高效率电源应用领域。由于其高集成度和优良的性能表现,NX8560LJ606-CC也成为许多工程师在电源设计中的首选驱动IC之一。
TC4427A-PA, IRS2104S, LM5114MM, FAN3226IMX