时间：2025/6/23 13:04:26
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SH18B104K250CT 是一款由盛瀚微电子生产的高性能、低功耗的 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）。该芯片适用于需要高速数据访问和稳定性能的应用场景。其设计旨在提供高可靠性和快速读写能力，同时保持较低的功耗水平。
SH18B104K250CT 提供了一个 1M x 4 位的存储阵列，并采用符合工业标准的封装形式。该芯片具有较高的抗干扰能力和稳定性，适合在各种复杂的电子设备中使用。
存储容量：1Mb
数据宽度：4位
工作电压：1.7V 至 3.6V
访问时间：最高 25ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSSOP
引脚数量：20
SH18B104K250CT 的主要特性包括高速读写能力、低功耗模式以及高可靠性。
1. 高速操作：该 SRAM 芯片能够以最短 25 纳秒的访问时间运行，确保了快速的数据处理能力。
2. 低功耗设计：通过优化电路结构，该芯片能够在待机模式下显著降低功耗，非常适合电池供电设备。
3. 稳定性：具备强大的抗噪声能力，在恶劣环境下仍能保持数据完整性。
4. 宽工作电压范围：支持 1.7V 到 3.6V 的工作电压区间，增强了芯片的兼容性。
5. 工业级温度范围：能够在 -40°C 至 +85°C 的环境中正常工作，适用于多种应用场景。
SH18B104K250CT 广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的领域。
1. 工业控制：如可编程逻辑控制器（PLC）中的临时数据存储。
2. 消费电子产品：例如数码相机、打印机和扫描仪等设备的缓冲存储。
3. 通信设备：用于路由器、交换机和其他网络设备中的高速数据传输缓存。
4. 医疗设备：如监护仪和超声波设备中的实时数据存储。
5. 汽车电子：应用于汽车导航系统和信息娱乐系统的临时数据存储。
CY6218BM-25LV, IS61LV256AL-25BLI
