时间：2025/9/13 22:43:30
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NX7002BKS115 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的一款高性能双通道MOSFET晶体管阵列，采用Trench MOSFET技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件采用SOT-363封装，适用于需要高效能和小尺寸封装的便携式电子设备及电源管理系统。
类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
配置：双通道N沟道
漏源电压（VDS）：20V
连续漏极电流（ID）：100mA（每个通道）
栅极阈值电压（VGS(th)）：0.7V至1.5V（在25°C时）
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大值，VGS=4.5V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOT-363
NX7002BKS115具备多种优异特性，包括低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，使其适用于高频开关应用。该器件采用先进的Trench MOSFET工艺，提供更高的效率和更低的功率损耗。其双通道设计允许在单个封装中集成多个MOSFET，节省电路板空间并提高系统集成度。此外，NX7002BKS115具有较高的ESD（静电放电）耐受能力，增强了器件在严苛环境中的可靠性。其SOT-363小型封装形式非常适合空间受限的应用，如移动设备、电池供电系统和便携式电子产品。
该MOSFET还具备优异的栅极控制特性，确保在低电压应用中能够稳定工作。其栅极阈值电压范围适中，能够在常见的3.3V或5V逻辑控制电路中直接驱动，无需额外的电平转换器。此外，NX7002BKS115在高温下的性能保持稳定，适合在工业级温度范围内运行。
NX7002BKS115广泛应用于便携式电子产品、电池管理系统、低功耗电源转换器、LED驱动电路、信号开关、逻辑控制电路以及各类小型化电子设备中。其高效的开关性能和紧凑的封装形式使其成为智能手机、平板电脑、穿戴设备、物联网设备以及消费类电子产品的理想选择。
2N7002K, BSS138, FDV301N
