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NTGS3136PT1G 发布时间 时间:2023/4/10 11:13:59 查看 阅读:647

分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品 

家庭:MOSFET,GaNFET - 单 

FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 特点:逻辑电平门

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:33 毫欧 @ 5.1A, 4.5V

漏极至源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.7A

Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250μA 

闸电荷(Qg) @ Vgs:29nC @ 4.5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1901pF @ 10V

功率 - 最大:700mW

安装类型:表面贴装 

封装/外壳:SC-74-6 

包装:带卷 (TR)

供应商设备封装:6-TSOP

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTGS3136PT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C33 毫欧 @ 5.1A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1901pF @ 10V
  • 功率 - 最大700mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTGS3136PT1G-NDNTGS3136PT1GOSTR