容量：256GB
　　封装类型：BGA
　　接口：ONFI 4.0/ Toggle Mode 2.0
　　电压范围：2.8V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　读取速度：最高800MB/s
　　写入速度：最高600MB/s
　　擦除速度：最高200KB/s
　　数据保留时间：10年（典型值）
　　耐用性：3000 P/E周期（编程/擦除周期）

KT2016A26000ACW18TAD是一款高性能的NAND闪存芯片，具有多项先进的技术特性。首先，它的容量高达256GB，可以满足高密度存储需求，适用于对存储容量有较高要求的应用场景。该芯片支持ONFI 4.0和Toggle Mode 2.0两种接口协议，确保了与多种主控设备的兼容性，并提供了较高的数据传输速率，读取速度可达800MB/s，写入速度可达600MB/s，适用于需要快速数据存取的系统。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，能够在极端环境下稳定运行。此外，KT2016A26000ACW18TAD采用了先进的错误校正技术（ECC），支持数据完整性与可靠性，确保在复杂环境中数据的稳定读写。其耐用性为3000 P/E周期，这意味着芯片可以承受频繁的写入和擦除操作，适用于需要高可靠性的工业和企业级应用。数据保留时间可达10年，即使在断电情况下也能长期保持数据不丢失。这些特性使得KT2016A26000ACW18TAD在SSD、嵌入式存储、工业控制系统等领域具有广泛的应用前景。

KT2016A26000ACW18TAD因其高容量、高速度和高可靠性，被广泛应用于多个领域。在固态硬盘（SSD）中，该芯片可用于构建高性能的存储模块，适用于个人电脑、服务器和数据中心。在嵌入式系统中，例如智能终端、工业控制器和自动化设备，KT2016A26000ACW18TAD能够提供稳定可靠的存储解决方案。此外，它还适用于车载系统、安防监控设备和消费类电子产品，如平板电脑和智能电视。由于其宽温工作范围和高耐用性，这款芯片也适合用于严苛环境下的工业应用。

TC58NVG9S0HBA4E