NVTR4503N 时间：2025/6/18 23:46:48 阅读：5

NVTR4503N是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高压、高频功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高效功率转换的场景。它具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力，从而能够满足现代电力电子设计对效率和可靠性的要求。
　　该器件采用了先进的Trench MOS技术，确保了其在高压下的稳定性能，并通过优化栅极电荷和输出电容来实现更低的开关损耗。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：3.7A
　　导通电阻：1.3Ω
　　栅极电荷：38nC
　　总电容：330pF
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-263

特性

NVTR4503N具备以下关键特性：
　　1. 高额定电压（600V），适合高压应用环境。
　　2. 极低的导通电阻（1.3Ω），有助于减少传导损耗并提升整体效率。
　　3. 快速开关特性，得益于较低的栅极电荷（38nC）和输出电容（330pF）。
　　4. 良好的热稳定性，在宽温度范围内表现出色。
　　5. 先进的制造工艺保证了高可靠性和长寿命。
　　6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电路设计中。

应用

这款功率MOSFET广泛适用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
　　2. DC-DC转换器中的功率级控制。
　　3. 电机驱动电路中的开关元件。
　　4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
　　6. 各种需要高效功率转换的消费类电子产品，如笔记本电脑适配器等。