时间：2025/10/7 2:25:25
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UKW2A2R2MDD是一款由Vishay Siliconix公司生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管（TVS二极管阵列），专为保护敏感电子电路免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）以及雷击感应等瞬态过电压事件的损害而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备快速响应时间和低箝位电压特性，能够有效吸收高达30kV的空气和接触ESD脉冲，符合IEC 61000-4-2国际标准的最高等级要求。UKW2A2R2MDD特别适用于高速数据线路和电源线的双向保护，其紧凑的封装形式使其成为便携式消费类电子产品、通信设备和其他需要高密度布局应用的理想选择。该器件通常用于USB接口、HDMI端口、音频/视频信号线以及其他对电磁干扰敏感的模拟或数字信号路径中，以确保系统在恶劣电磁环境下的可靠运行。此外，UKW2A2R2MDD具有低漏电流和低电容特性，不会对正常工作信号造成显著影响，从而保证了信号完整性。
类型：双向TVS二极管阵列
通道数：2
工作电压（VRWM）：2.2V
击穿电压（VBR）：最小2.5V，典型值2.7V，最大3.0V
峰值脉冲电流（IPP）：8A
钳位电压（VC）：最大9V（在IPP = 8A条件下）
ESD耐受能力：±30kV（空气和接触放电，符合IEC 61000-4-2 Level 4）
浪涌耐受能力：30A（8/20μs波形，符合IEC 61000-4-5）
低动态电阻：<1Ω
低电容：每条线路典型值为0.4pF
反向漏电流（IR）：最大1nA（在2.2V下）
封装形式：UMD3（SOD-882）
安装方式：表面贴装（SMT）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
结温（TJ）：最高+150°C
UKW2A2R2MDD的核心特性之一是其卓越的瞬态过压保护能力，能够在纳秒级时间内响应ESD事件，迅速将瞬态电压箝制在安全范围内，防止下游集成电路受到损坏。该器件满足IEC 61000-4-2 Level 4标准，可承受高达±30kV的空气放电和接触放电，远超一般消费类电子产品所面临的真实世界ESD威胁水平，因此适用于工业级和汽车级应用场景。其双向导通结构允许它在正负两个方向上均提供保护，非常适合交流信号或双向数据线路使用。
另一个关键优势是极低的寄生电容（典型值仅为0.4pF），这一特性对于高频信号传输至关重要，例如高速USB 2.0、HDMI、MIPI接口等，能够最大限度减少信号衰减、反射和失真，保持良好的信号完整性。同时，极低的漏电流（最大1nA）意味着在正常工作状态下几乎不消耗额外功耗，这对于电池供电的移动设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备尤为重要。
该器件采用UMD3小型化封装，尺寸仅为1.0mm x 1.0mm x 0.55mm，适合高密度PCB布局，并支持自动化贴片生产流程。其热性能优异，在多次大电流瞬态冲击后仍能保持稳定性能。内部结构基于硅雪崩技术，具有自恢复能力，无需更换即可重复使用。此外，UKW2A2R2MDD还具备出色的热稳定性和长期可靠性，经过严格的高温高湿存储测试（如85°C/85% RH），确保在严苛环境下长期稳定运行。
UKW2A2R2MDD广泛应用于各类需要高精度ESD防护的电子系统中，尤其适合高速数据接口和低电压逻辑电路的保护。典型应用包括智能手机和平板电脑中的USB Type-A/C接口、耳机插孔、触摸屏控制器信号线以及摄像头模块的数据连接线。由于其低电容和低漏电特性，也常用于保护微处理器的I/O引脚、传感器信号输入端和无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙）的射频前端电路。
在消费类视听设备中，该器件可用于HDMI、DisplayPort、SD卡槽等高速串行总线的ESD抑制。此外，它还可用于工业控制系统的现场总线接口（如RS-485、CAN）以及汽车信息娱乐系统中的多媒体接口保护，提升整个系统的电磁兼容性（EMC）表现。医疗电子设备中对信号保真度要求较高的传感器接口也可以采用此器件进行瞬态保护，避免因外部静电导致误操作或数据错误。总而言之，任何存在静电风险且信号频率较高或工作电压较低的应用场景，都是UKW2A2R2MDD的理想用武之地。
SM712-02UTAG
TPD2E001DPYR
SP1205-04ST-L
