时间：2025/5/27 15:06:32
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FN18N4R0C500PSG是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于开关电源、电机驱动和功率转换等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性。其封装形式为符合行业标准的表面贴装类型，适合自动化生产。
FN18N4R0C500PSG属于N沟道增强型MOSFET，通过栅极电压控制漏极与源极之间的电流流动。由于其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业设备以及汽车电子领域。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
导通电阻：4mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：26nC（典型值）
输入电容：3200pF（典型值）
总功耗：270W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
1. 高耐压能力，最大漏源电压可达500V，能够承受较高的电压波动，确保在恶劣环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻，典型值仅为4mΩ，减少功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关特性，栅极电荷较小，有助于降低开关损耗并提升高频性能。
4. 宽工作温度范围，支持从-55℃到+175℃，适应多种应用场景。
5. 符合RoHS标准，环保且满足全球市场的法规要求。
6. 表面贴装封装设计，简化PCB布局并增强散热性能。
FN18N4R0C500PSG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路，用于控制大功率电机的启停和调速。
4. 太阳能逆变器，作为功率级的核心组件。
5. 电动工具和其他便携式设备中的功率管理模块。
6. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
IRFP460, STP18NF50, FGA18N50SMD
