IXTC260 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率功率转换和开关应用设计。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和快速开关特性,适用于多种电源管理场合,如 DC-DC 转换器、电机控制、电源开关和负载管理等。IXTC260 采用 TO-220 封装,便于散热和集成到各种电路设计中。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):600 V
栅源电压(Vgs):±20 V
连续漏极电流(Id):13 A
导通电阻(Rds(on)):0.26 Ω(最大)
功率耗散(Ptot):125 W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装:TO-220
IXTC260 的核心特性之一是其出色的导通性能。它的最大导通电阻仅为 0.26 Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。在高功率应用中,这种低 Rds(on) 可显著减少热量产生,从而提高系统的稳定性和寿命。
此外,IXTC260 具有较高的漏源耐压能力,最大可达 600 V,使其适用于高电压应用环境。这种高耐压特性不仅提高了器件的可靠性,还减少了电路设计中对额外保护元件的需求,从而降低了整体成本。
该器件还具有良好的热性能。TO-220 封装提供了良好的散热能力,确保在高电流负载下依然能够保持较低的工作温度。这对于需要长时间运行的高功率系统尤为重要。
IXTC260 的开关特性也非常优秀,具有快速的开关速度和较低的开关损耗。这种特性使其在高频开关应用中表现出色,如开关电源(SMPS)和逆变器系统。快速的开关能力有助于减少能量损耗并提高系统的响应速度。
另一个值得关注的特性是 IXTC260 的栅极驱动兼容性。其栅源电压范围为 ±20 V,使其能够与常见的驱动电路兼容,例如 PWM 控制器或微控制器输出。这种兼容性简化了设计流程,并提高了系统的灵活性。
IXTC260 广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域,它常用于开关电源(SMPS)中的主开关元件,负责高效地将输入电压转换为所需的输出电压。其高耐压和低导通电阻特性使其非常适合此类高频、高效率的转换任务。
在电机控制应用中,IXTC260 可作为 H 桥电路中的功率开关,用于控制直流电机的方向和速度。其高电流承载能力和快速开关特性有助于实现精确的电机控制,同时减少能量损耗和热量生成。
该器件还可用于 DC-DC 转换器,例如升压(Boost)和降压(Buck)转换器。在这些应用中,IXTC260 负责周期性地导通和关断,以调节输出电压。由于其快速的开关速度和低 Rds(on),它能够有效地提高转换器的效率并减少电路尺寸。
此外,IXTC260 也适用于照明控制系统,特别是 LED 照明的调光和驱动电路。它能够提供稳定的电流控制,同时减少发热,从而提高系统的可靠性和寿命。
在工业自动化和控制系统中,IXTC260 可用于继电器替代和负载开关,实现对高功率负载的快速和可靠控制。
IXTP14N60C3, FQA13N60, STF12N60DM2