时间：2025/5/8 13:05:35
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NVTFS5124PLTWG 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的 Trench 工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性。它主要适用于需要高效能功率转换的场景，例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载切换等应用。其封装形式为 TO-263-3（DPAK），能够提供良好的散热性能以支持高电流操作。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：27A
导通电阻（典型值）：2.9mΩ
栅极电荷：42nC
开关时间：ton=8ns, toff=28ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
NVTFS5124PLTWG 具有低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高效率。
采用 Trench 技术设计，使得该 MOSFET 在高频工作条件下表现出卓越的开关性能。
具备较低的栅极电荷，从而减少了驱动损耗。
其封装形式 TO-263-3 提供了高效的散热路径，使器件能够在高电流应用中保持稳定运行。
额定电流高达 27A，并且能够在较宽的工作温度范围内可靠地运作，确保了在各种环境下的适应性。
该器件广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备领域中的多种电路：
开关模式电源（SMPS）
降压和升压 DC-DC 转换器
电机驱动与控制
负载开关
电池管理系统（BMS）
电信和网络设备中的功率级解决方案
NVTFS5124NL,
NVD5124NL,
FDP5124,
IRF540N
