时间：2025/9/1 11:08:35
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IS42VM16800H-6BLI 是由 Integrated Silicon Solution（ISSI）公司生产的一款高性能、低功耗的移动型 SDRAM（同步动态随机存取存储器）芯片。该器件广泛应用于需要高速数据处理和存储的便携式设备，例如智能手机、平板电脑、工业控制系统和嵌入式设备等。这款 SDRAM 芯片采用了先进的 CMOS 技术，提供高容量、高速度和低功耗特性，非常适合对功耗敏感的应用场景。IS42VM16800H-6BLI 的封装形式为 54-ball FBGA，符合 RoHS 标准，适用于工业级温度范围。
容量：256Mb
组织结构：Mobile SDRAM，16M x16
电源电压：1.7V - 3.3V（核心电压为 1.7V - 1.95V，I/O 电压为 2.3V - 3.6V）
访问时间：5.4ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：54-ball FBGA
时钟频率：最高支持 166MHz
数据速率：333MHz（DDR）
数据宽度：16 位
刷新周期：64ms
低功耗设计：IS42VM16800H-6BLI 采用了先进的低电压 CMOS 工艺，支持 1.7V 核心电压和多种 I/O 电压，有效降低整体功耗，非常适合移动设备使用。
高速性能：该芯片支持高达 166MHz 的时钟频率，并通过 DDR（双倍数据速率）技术实现 333MHz 的有效数据速率，满足高速数据处理的需求。
高容量：提供 256Mb 容量，以 16M x16 的组织结构排列，适合大容量缓存和数据存储应用。
封装紧凑：采用 54-ball FBGA 封装，体积小巧，适用于空间受限的便携式电子设备。
宽温度范围：支持 -40°C 至 +85°C 的工业级工作温度范围，可在严苛环境下稳定运行。
自动刷新和自刷新功能：支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，确保数据在不频繁访问时仍能保持完整，进一步降低功耗。
兼容性好：符合 JEDEC 标准，便于与各种嵌入式系统和主控芯片进行集成。
IS42VM16800H-6BLI 主要用于需要高速、低功耗和高容量存储的嵌入式和便携式设备中。典型应用包括智能手机、平板电脑、数码相机、便携式媒体播放器、无线通信设备、工业控制设备、车载信息娱乐系统以及各种嵌入式系统。由于其高性能和低功耗的特性，它也适用于电池供电设备和对热管理要求较高的应用场景。
IS46H1616A2B4-6BLI, MT48LC16M16A2B4-6A
