时间：2025/5/13 11:04:36
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NVR5198NLT1G 是一款由安森美（onsemi）推出的高效能、低功耗的N沟道MOSFET。该器件采用了先进的制程技术，具有出色的导通电阻和开关性能，广泛应用于各种电源管理及信号切换场景。
该器件的主要特点是低导通电阻（Rds(on)），能够在高频工作条件下提供高效的功率转换，同时其封装形式紧凑，适合于空间受限的设计环境。
型号：NVR5198NLT1G
类型：N-Channel MOSFET
Vgs(th)（栅极开启电压）：1.2V 典型值
Rds(on)（导通电阻）：7mΩ 最大值（在 Vgs=10V 条件下）
最大漏源电压 (Vds)：30V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
最大漏极电流 (Id)：41A（脉冲条件）
连续漏极电流：10.2A
总功耗：215W
结温范围：-55°C 到 +175°C
封装：LFPAK56D (PowerSO-8)
NVR5198NLT1G 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 支持高电流应用，最大脉冲漏极电流可达 41A。
3. 高温工作能力，最高结温达到 +175°C，适用于严苛的工作环境。
4. 小型化封装设计，节省PCB板面积。
5. 稳定的电气性能，可确保长期运行可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这些特点使得 NVR5198NLT1G 成为众多高效电源转换应用的理想选择。
NVR5198NLT1G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 电机驱动和控制电路中的功率开关。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与切换。
6. 电池管理系统（BMS）中的保护和切换功能。
由于其低导通电阻和高效率，NVR5198NLT1G 在需要高频开关或低损耗的应用中表现尤为突出。
NVR5198NL, IRF7846TRPBF, FDMQ8209
