MMT05B310T3G 是一款由安森美(onsemi)推出的高压 MOSFET,属于 MMT 系列,采用 TO-263 封装。该器件具有高可靠性、低导通电阻和出色的开关性能,广泛应用于工业控制、电源管理、电机驱动以及消费类电子设备中。其设计优化了高温环境下的稳定性和效率,适用于需要高效功率转换的应用场景。
这款器件的额定电压为 310V,能够承受较高的漏源电压,同时具备较低的导通电阻以减少功率损耗。通过先进的制造工艺,MMT05B310T3G 提供了卓越的电气特性和热性能,使其成为高性能电力电子系统的理想选择。
型号:MMT05B310T3G
封装:TO-263
漏源极击穿电压:310V
连续漏极电流:5A
导通电阻:0.8Ω
栅极电荷:37nC
总电容:350pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
MMT05B310T3G 具备以下主要特性:
1. 高额定电压(310V),适用于多种高压应用。
2. 低导通电阻(Rds(on) = 0.8Ω 典型值),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关能力,支持高频操作,减少磁性元件体积和系统成本。
4. 支持高达 +175℃ 的结温工作,适合在恶劣环境下运行。
5. 内部保护功能包括雪崩能量吸收能力,增强了器件的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
7. TO-263 封装提供良好的散热性能,简化 PCB 设计。
MMT05B310T3G 常用于以下应用领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的逆变器或斩波器。
3. 工业自动化设备中的电磁阀和继电器驱动。
4. LED 照明驱动器中的恒流控制器。
5. 消费类电子产品中的适配器和充电器。
6. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
7. 家用电器和工业设备中的功率管理模块。
MMT05B310T3GK, MMT05B310T3GL