时间：2025/5/29 0:37:48
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NV1206B821K202CEDN是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的功率MOSFET技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用。其封装形式为TO-263（D2PAK），能够提供良好的散热性能和电气连接。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：14A
导通电阻：0.12Ω
栅极电荷：75nC
总电容：1150pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
NV1206B821K202CEDN采用了超结技术，使得其在高压应用中仍然保持较低的导通电阻，从而减少了功率损耗。
其快速开关特性可以降低开关损耗，并提高系统的整体效率。
此外，该器件还具有优异的雪崩能力和热稳定性，可以在恶劣的工作环境下长期可靠运行。
内置的ESD保护电路提高了产品的抗静电能力，增强了其在实际应用中的耐用性。
NV1206B821K202CEDN适用于多种电力电子应用，包括但不限于开关模式电源（SMPS）、电机控制、工业逆变器、不间断电源（UPS）以及各种类型的DC-DC转换器。
由于其出色的性能，这款MOSFET非常适合需要高效能和高稳定性的场合，例如电动汽车充电设备、太阳能逆变器和家用电器的电源管理模块。
NV1206B821K202GDN
NV1206B821K202GD
FDP15U65A
IRFP260N
