S-80730AN-DT-T1 时间：2025/6/10 10:34:30 阅读：7

S-80730AN-DT-T1 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，主要用于功率转换和开关应用。该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET 类型，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度等特点。其封装形式为 TO-252(DPAK)，适用于紧凑型设计和表面贴装工艺。
　　这款元器件常用于电源管理模块、DC-DC 转换器、电机驱动电路以及负载开关等场景中，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。

参数

型号：S-80730AN-DT-T1
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　Vds（漏源极电压）：60V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
　　Id（连续漏极电流）：80A
　　Vgs(th)（栅极开启电压）：2.1V ~ 4.0V
　　f（工作频率）：最高支持至 500kHz
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

S-80730AN-DT-T1 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低功率损耗，提高效率。
　　2. 高电流处理能力，能够承受高达 80A 的持续电流。
　　3. 快速开关性能，支持高频应用（最高达 500kHz）。
　　4. 小型化封装（TO-252），便于表面贴装和紧凑型设计。
　　5. 宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应多种恶劣环境条件。
　　6. 栅极电荷低，驱动损耗小，有助于提升整体系统效率。
　　7. 提供良好的 ESD 保护性能，增强可靠性。
　　这些特性使得该芯片非常适合于需要高效功率转换和可靠开关操作的应用场景。

应用

S-80730AN-DT-T1 可广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
　　3. 电机驱动电路中的功率开关。
　　4. 各种负载开关应用，例如 USB 充电器和便携式设备中的负载控制。
　　5. 工业控制设备中的功率管理模块。
　　6. 汽车电子系统中的电源切换和电池管理。
　　由于其低导通电阻和高电流承载能力，S-80730AN-DT-T1 在需要高效功率转换和高可靠性的应用中表现出色。