时间：2025/6/6 10:56:46
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NUP4114HMR6T1G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要应用于电源管理、电机驱动和信号切换等领域。该器件采用了先进的封装技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于需要高效能和稳定性的电路设计。
该型号是 N 沟道增强型 MOSFET，能够在高频条件下实现高效的功率转换，并且其封装形式为 LFPAK88，能够提供卓越的散热性能和电气特性。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：97A
导通电阻：1.2mΩ
总栅极电荷：45nC
开关时间：典型值 15ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：LFPAK88
NUP4114HMR6T1G 提供了非常低的导通电阻（仅 1.2mΩ），这使得它在大电流应用中表现出色，可以显著降低传导损耗并提高系统效率。
此外，该器件具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，在高频开关应用中表现尤为突出。
由于采用了 LFPAK88 封装，NUP4114HMR6T1G 能够有效散发热量，从而支持更长时间的高负载运行。此封装还兼容自动光学检测 (AOI)，便于生产过程中的质量控制。
它的宽温度范围使其非常适合恶劣环境下的应用，如汽车电子和工业设备。同时，器件的高可靠性设计保证了长期使用的稳定性。
NUP4114HMR6T1G 广泛用于 DC-DC 转换器、电动车辆的电机驱动电路、电池保护系统、太阳能逆变器以及各类开关电源 (SMPS) 中。此外，它还可作为负载开关或同步整流器使用，适用于需要高效能量转换的场景。
凭借其出色的电气特性和热性能，这款 MOSFET 在电动汽车、消费类电子产品和通信基础设施领域都有广泛应用。
NUP4114LMT1G
NUP4114HFT1G
IRF7729TRPBF
