NUP4114HMR6T1G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于电源管理、电机驱动和信号切换等领域。该器件采用了先进的封装技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合于需要高效能和稳定性的电路设计。
该型号是 N 沟道增强型 MOSFET,能够在高频条件下实现高效的功率转换,并且其封装形式为 LFPAK88,能够提供卓越的散热性能和电气特性。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:97A
导通电阻:1.2mΩ
总栅极电荷:45nC
开关时间:典型值 15ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:LFPAK88
NUP4114HMR6T1G 提供了非常低的导通电阻(仅 1.2mΩ),这使得它在大电流应用中表现出色,可以显著降低传导损耗并提高系统效率。
此外,该器件具备快速开关能力,有助于减少开关损耗,在高频开关应用中表现尤为突出。
由于采用了 LFPAK88 封装,NUP4114HMR6T1G 能够有效散发热量,从而支持更长时间的高负载运行。此封装还兼容自动光学检测 (AOI),便于生产过程中的质量控制。
它的宽温度范围使其非常适合恶劣环境下的应用,如汽车电子和工业设备。同时,器件的高可靠性设计保证了长期使用的稳定性。
NUP4114HMR6T1G 广泛用于 DC-DC 转换器、电动车辆的电机驱动电路、电池保护系统、太阳能逆变器以及各类开关电源 (SMPS) 中。此外,它还可作为负载开关或同步整流器使用,适用于需要高效能量转换的场景。
凭借其出色的电气特性和热性能,这款 MOSFET 在电动汽车、消费类电子产品和通信基础设施领域都有广泛应用。
NUP4114LMT1G
NUP4114HFT1G
IRF7729TRPBF