GN2904-INE3 时间：2025/8/5 2:36:34 阅读：17

GN2904-INE3 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高频率和高功率应用场景。该器件采用 TO-220 封装，具有良好的热性能和电流处理能力，适合用于电源转换、电机驱动、开关电源（SMPS）等应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：400 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　漏极电流（ID）：9 A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.85 Ω @ VGS = 10 V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

GN2904-INE3 具有多个关键特性，使其适用于高功率和高效率的电子设计。
　　首先，其漏源电压为 400V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换系统，如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器和反激式电源拓扑。同时，该器件的栅源电压范围为 ±30V，提供了良好的栅极保护，防止因过高的栅极电压而导致器件损坏。
　　其次，GN2904-INE3 的最大漏极电流为 9A，在高频开关条件下仍能保持稳定的导通性能。其导通电阻 RDS(on) 为 0.85Ω，在 VGS=10V 时，这有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该 MOSFET 的封装形式为 TO-220，具备良好的散热能力，能够有效降低工作温度，提高长期运行的可靠性。
　　另外，该器件具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），适用于高频开关应用，减少开关损耗并提升响应速度。这对于需要快速开关动作的 DC-AC 逆变器、马达控制和 LED 驱动器等应用尤为重要。
　　最后，GN2904-INE3 还具备良好的雪崩能量承受能力，能够在突发的电压尖峰下保持稳定运行，从而提高系统的抗干扰能力和稳定性。这些特性使其成为工业电源、消费类电子产品和自动化控制系统中的理想选择。

应用

GN2904-INE3 广泛应用于多种高功率电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）、交流-直流转换器（AC-DC Converter）、LED 驱动器、电机控制器、逆变器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率开关电路。由于其高耐压和低导通电阻特性，它也适用于需要高效率和高稳定性的电源管理模块。