STB25MN60N 时间：2025/7/22 13:38:10 阅读：11

STB25MN60N 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种高电压和高电流的电力电子设备中。该器件采用了先进的MESH技术，提供了优异的导通和开关性能，同时具备高耐用性和可靠性。STB25MN60N 通常用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理、逆变器以及工业自动化设备等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：25A（Tc=100℃）
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：47nC（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：125W

特性

STB25MN60N 是一款具有低导通电阻的N沟道MOSFET，能够在高电压和大电流条件下保持稳定的性能。它采用了先进的Power MOSFET MESH技术，使得在高温环境下依然具备良好的导通特性。该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，STB25MN60N 具有快速开关能力，适用于高频开关应用，如电源转换器、逆变器和电机驱动器等。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣的工作环境下长时间运行。其TO-220封装形式便于散热设计，同时提供了良好的机械稳定性和电气隔离性能。STB25MN60N 的栅极驱动电压范围较宽（±30V），适应性强，适用于多种驱动电路配置。
　　在可靠性方面，STB25MN60N 经过严格的测试和验证，符合多项国际工业标准，适用于对安全性和稳定性要求较高的应用场合。

应用

STB25MN60N 常用于高电压和高功率的电力电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路、工业自动化设备、电池管理系统以及不间断电源（UPS）等应用中，该MOSFET能够提供高效的功率控制能力。此外，它也适用于家用电器、电动车控制器、光伏逆变器及工业电机驱动器等多种高可靠性要求的电子设备。