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NTZD3155CT2G 发布时间 时间:2023/4/14 11:58:09 查看 阅读:288

MOSFET小信号

目录

概述

制造商:ONSemiconductor

产品种类:MOSFET小信号

RoHS:是

配置:Dual

晶体管极性:NandP-Channel

汲极/源极击穿电压:20V

闸/源击穿电压:+/-6V

漏极连续电流:0.54AatNChannel,0.43AatPChannel

功率耗散:250mW

最大工作温度:+150℃

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SOT-563-6

封装:Reel

最小工作温度:-55℃

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTZD3155CT2G参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C540mA,430mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C550 毫欧 @ 540mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds150pF @ 16V
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-563
  • 包装带卷 (TR)