时间：2025/8/6 17:56:47
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MR4A08BCYS35R 是由 Cypress Semiconductor（现为 Infineon Technologies 的一部分）推出的一款非易失性存储器（NVM）产品，基于其著名的F-RAM（铁电随机存取存储器）技术。这种存储器结合了RAM的速度和耐用性与非易失性存储器的数据保持能力。MR4A08BCYS35R 是一款 8 Mbit（1M x 8）的F-RAM芯片，支持高速SPI接口，适用于需要快速、可靠和高效数据存储的应用场景。它具备高读写耐久性、低功耗和非易失性数据保持能力。
容量：8 Mbit
组织方式：1M x 8
接口类型：SPI
工作电压：2.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：8引脚SOIC
最大时钟频率：40 MHz
数据保持时间：10年（典型）
读写耐久性：10^14 次/位
MR4A08BCYS35R 的主要特性之一是其基于F-RAM技术的非易失性存储能力，这意味着在断电情况下数据仍能保持，而无需备用电源或复杂的写入保护机制。此外，该器件具备极高的读写耐久性，高达10^14次/位，远超传统EEPROM和Flash存储器，使其非常适合频繁写入的应用。F-RAM技术还提供几乎无限的读写周期，从而延长了设备的使用寿命。该器件的工作电压范围为2.7V至3.6V，具有较宽的电源适应能力，并且在掉电时能够自动保存数据。MR4A08BCYS35R 支持高速SPI接口，最大时钟频率可达40 MHz，能够实现快速的数据传输。此外，其功耗较低，适用于电池供电设备和低功耗应用。该器件的封装为8引脚SOIC，便于集成到标准PCB布局中。
另外，该存储器在写入过程中无需延迟或等待时间，所有写入操作都是即时完成的，避免了传统非易失性存储器中常见的写入延迟问题。这种“无延迟写入”特性对于需要实时数据存储的应用非常关键。此外，MR4A08BCYS35R 提供高可靠性和数据保持能力，可在极端温度条件下（-40°C至+85°C）稳定运行，适用于工业、汽车和航空航天等严苛环境中的应用。
MR4A08BCYS35R 被广泛应用于需要高可靠性和高频写入能力的系统中。例如，在工业自动化系统中，该器件可用于实时数据记录、设备状态存储和配置参数保存。在智能电表、水表和燃气表等能源管理系统中，它可以用于记录能耗数据并确保断电后数据不丢失。在汽车电子系统中，如车载诊断系统、远程信息处理单元和安全记录器，该存储器可用于存储关键事件数据和故障代码。此外，MR4A08BCYS35R 也适用于医疗设备，如便携式诊断仪器和患者监护系统，用于存储患者数据和设备校准信息。由于其低功耗特性，该器件也适合用于物联网（IoT）设备、无线传感器网络和便携式电子产品中，以延长电池寿命并提高数据可靠性。
FM25V05-G, CY8C5868LTI-LP097, MR45V80AA35R
