时间：2023/4/12 11:00:36
阅读：545
NTZD3155CT1G技术参数
源漏极间雪崩电压VBR(V)：20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：400
最大漏极电流Id(on)(A)：0.540
通道极性：N/P沟道
封装/温度(℃)：SOT-563/-55 ~150
描述：20 V, 540 mA/ -430 mA 双功率MOSFET带ESD保护
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
