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NTZD3155CT1G 时间：2023/4/12 11:00:36 阅读：565

NTZD3155CT1G技术参数

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V)：20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：400

最大漏极电流Id(on)(A)：0.540

通道极性：N/P沟道

封装/温度(℃)：SOT-563/-55 ~150

描述：20 V, 540 mA/ -430 mA 双功率MOSFET带ESD保护

资料

厂商
ON Semiconductor

NTZD3155CT1G推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

NTZD3155CT1G
深圳市宝芯创电子有限公司
7366
ON
2023+/SOT563

NTZD3155CT1G
深圳闻舟科技有限公司
12000
ONSemi
22+/SOT563

NTZD3155CT1G
深圳市锂斯特电子有限公司
90000
ON/安森美
23+/SOT563

NTZD3155CT1G
深圳市永贝尔半导体有限公司
8040
ON
2007+/SOT363

NTZD3155CT1G
深圳市泰强达电子有限公司
27400
ON
22+/SOT563

NTZD3155CT1G
芯惠（深圳）电子科技有限公司
35000
ON/安森美
21+/SOT363

NTZD3155CT1G
深圳市佳蓓电子有限公司
30000
ON
22+/N/A

NTZD3155CT1G
深圳市言信微科技有限公司
80000
ONSEMI
23+/-

NTZD3155CT1G
深圳市芯立阳电子技术有限公司
20000
ON
22+/TO23

NTZD3155CT1G
深圳市迅丰达电子科技有限公司
10000
onsemi/安森美
23+/SOT5636

NTZD3155CT1G
现代芯城（深圳）科技有限公司
15600
一级代理
NEW/NEW

NTZD3155CT1G
深圳市灵希微科技有限公司
120000
ON
22+/SOT5636

NTZD3155CT1G
深圳市中飞凌科技有限公司
60868
安森美
2023+/SOT563

NTZD3155CT1G
汉国（深圳）电子集团有限公司
400
ON
19+/N/A

NTZD3155CT1G
深圳市英德州科技有限公司
32500
ON(安森美)
23+/SOT563

NTZD3155CT1G
深圳市先杰世纪科技有限公司
1750
ON
1204+/SOT363

NTZD3155CT1G
深圳市杰旭鑫科技有限公司
4000
ON
23+/SOT363

NTZD3155CT1G
深圳市博芯创达科技有限公司
12000
ON
19+/SOT563

NTZD3155CT1G
昂富（深圳）电子科技有限公司
37500
ON
24+/SOT563

NTZD3155CT1G
深圳市星源微科技有限公司
3867
ON
10+PB/SOT563

NTZD3155CT1G资料更多>

型号
描述
品牌
阅览下载

NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
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IC词条百科

NTZD3155CT1G产品

NTZD3155CT1G参数

标准包装4,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
FET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C540mA，430mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C550 毫欧 @ 540mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds150pF @ 16V
功率 - 最大250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563，SOT-666
供应商设备封装SOT-563
包装带卷 (TR)
其它名称NTZD3155CT1GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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