时间：2025/7/29 22:56:51
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086210007340800A是一种高压MOSFET功率晶体管，广泛用于需要高电压和高电流的电源管理应用中。该器件采用先进的硅工艺制造，具有良好的导通特性和快速的开关性能。
类型：MOSFET
技术：N沟道增强型
最大漏极电流：73A
最大漏-源电压：100V
导通电阻（Rds(on)）：<10mΩ
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至+175°C
086210007340800A具备极低的导通电阻，有助于减少功率损耗和提高效率。其高电流承载能力使其适用于高功率密度设计。此外，该器件具有出色的热稳定性和可靠性，适用于苛刻的工业和汽车应用环境。
这种MOSFET的封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定的温度控制。快速的开关速度有助于减少开关损耗，提高系统的整体能效。同时，它具备良好的抗雪崩能力，能够在极端条件下保持器件的可靠性。
由于其优异的电气和热性能，086210007340800A广泛用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和电源模块等应用。其坚固的结构和高耐用性使其成为工业自动化和高功率电子设备的理想选择。
该器件常见于电源转换器、电动汽车充电系统、工业电源、UPS系统、太阳能逆变器以及高功率LED驱动器等应用场景。
IRFP4468, SiR1000ED, FDP100N10
