时间：2025/8/2 8:53:52
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NTTFS5826NLTAG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高功率密度的应用场景，例如电源转换器、DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关等。该 MOSFET 采用先进的封装技术，具备良好的热性能和电气性能，能够在高频率下稳定工作。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：60 V
最大栅源电压 Vgs：±20 V
最大连续漏极电流 Id（@25°C）：100 A
最大功耗（Ptot）：125 W
导通电阻 Rds(on)：4.5 mΩ（典型值，@Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：Power 8x8 TDFN
NTTFS5826NLTAG 以其卓越的导通性能和开关性能著称。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在高频率下保持稳定的开关特性，减少开关损耗。
该 MOSFET 具有良好的热管理能力，得益于其 Power 8x8 TDFN 封装结构，能够有效散热，提升整体系统的稳定性与可靠性。这种封装形式还具有较小的封装体积，适合高密度 PCB 设计。
此外，NTTFS5826NLTAG 还具备优异的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在异常工作条件下保持一定的稳定性和安全性。其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极驱动电压，兼容多种控制电路设计。
该器件的可靠性高，符合 AEC-Q101 汽车级认证标准，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用领域。
NTTFS5826NLTAG 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达控制器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统中。该器件的高效率和高可靠性使其成为高性能电源设计中的理想选择。
在工业自动化设备中，该 MOSFET 可用于高效能的功率控制模块，提供稳定的电流输出。在汽车电子系统中，它可被用于车灯控制、电动助力转向系统、车载充电器等关键电路中。
此外，该器件也可用于通信设备、服务器电源、UPS（不间断电源）等对效率和可靠性要求较高的应用场景。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IRF6723NTRPBF
