时间：2025/7/30 3:55:25
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A8732是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件设计用于高效能和低导通电阻的应用场景，适合在DC-DC转换器、电源管理模块以及各类功率控制电路中使用。A8732采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有出色的热性能和电流处理能力，适用于需要高可靠性和高性能的电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：190A
导通电阻（Rds(on)）：4.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗（Pd）：130W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
A8732具有极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中导通损耗显著降低，从而提高了整体系统效率。该器件的高电流处理能力（高达190A）使其适用于大功率电源转换和电机控制应用。
此外，A8732的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V，这使得其在不同电路设计中具备较高的灵活性。其沟槽式MOSFET结构不仅优化了导通性能，还增强了器件的热稳定性，有助于在高负载条件下保持良好的工作状态。
在封装方面，A8732采用TO-247封装，这种封装形式具备良好的散热能力，适合高功率密度的设计需求。TO-247封装的引脚排列也便于PCB布局和散热片的安装，从而提升系统的整体可靠性。
另外，A8732在高温环境下表现出色，其工作温度范围为-55°C至150°C，确保了在极端环境下的稳定运行。这种特性使其非常适合工业控制、电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器以及其他需要高可靠性的应用。
A8732广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于：DC-DC转换器、电源供应器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动汽车充电模块、工业自动化控制系统、太阳能逆变器以及电机驱动器。在这些应用中，A8732能够提供高效的功率开关功能，减少能量损耗，并提高系统的整体性能和可靠性。
SiHF190N03CT, IPP190N03LG, FDBL190N03A
