时间：2025/6/18 12:23:54
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NTTFS5826NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通损耗的场景。该器件采用 TO-220 封装形式，具备较高的电流处理能力和良好的热性能。其设计目标是为工业、消费电子和通信设备提供稳定可靠的开关解决方案。
该 MOSFET 的关键特点是低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少能量损耗并提高系统效率。此外，它还具有快速开关速度和高雪崩击穿能力，使其非常适合于多种高频和大功率应用。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：43A
最大栅极源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
总功耗：169W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
NTTFS5826NL 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗，提升整体效率。
2. 高额定电流和电压，适合在大功率电路中使用。
3. 快速开关速度，适用于高频开关电源和电机驱动等应用场景。
4. 良好的热稳定性，确保在极端温度条件下仍能保持高性能。
5. 高雪崩击穿能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且支持现代绿色设计理念。
该器件适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）和升压/降压电路。
3. 电机控制和驱动，如无刷直流电机（BLDC）控制器。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理。
5. 电池保护和充电管理电路。
6. 工业自动化设备中的负载切换和功率调节。
7. 汽车电子系统，例如电动助力转向和制动系统。
NTTF5826NLF, IRF540N
