BULK128DB 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率晶体管,属于功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类型。该器件专为高电流、高功率的应用设计,具有出色的导通特性和较低的导通损耗。BULK128DB 通常采用TO-247封装形式,适合在工业控制、电源管理和电机驱动等高功率系统中使用。这款晶体管以其高可靠性和热稳定性著称,能够在较高的工作温度下稳定运行。
类型:N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):80A
导通电阻(Rds(on)):≤ 1.2mΩ
栅极电压(Vgs):±20V
最大功耗(Ptot):300W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-247
BULK128DB 具备多项卓越特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))减少了导通损耗,提高了系统的整体效率。其次,该晶体管能够承受较大的漏极电流(高达80A),非常适合用于高功率开关和电机驱动电路。此外,BULK128DB 的最大漏源电压为100V,使其能够在中高压应用中稳定运行。
其封装形式为TO-247,提供了良好的散热性能,能够有效降低结温,从而增强器件的可靠性和寿命。该器件的栅极电压范围为±20V,确保了在不同的驱动条件下都能正常工作。BULK128DB 还具有较高的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能,适用于苛刻的工业环境。
另外,该晶体管采用了先进的制造工艺,具备较强的抗雪崩能力和较高的耐用性。这种特性使得 BULK128DB 在突发的过载或瞬态条件下仍能维持稳定运行,从而提高了整个系统的安全性和稳定性。
BULK128DB 主要应用于需要高功率和高效率的电子系统中。常见应用包括工业电机驱动、电源转换器、不间断电源(UPS)、电池充电器、直流电动机控制器和汽车电子系统等。由于其出色的导通特性和高耐压能力,BULK128DB 在电源管理电路中常被用作主开关器件,以实现高效的能量转换。
在工业自动化领域,BULK128DB 可用于高性能变频器和伺服驱动器中,为电机提供稳定的电源控制。在汽车电子领域,该晶体管可以用于电动车辆的电池管理系统和功率调节模块。此外,BULK128DB 还广泛应用于可再生能源系统,如太阳能逆变器和风力发电系统中,用于实现高效的能量转换和管理。
STP80NF10, IRF1405, FDP80N10