时间：2025/7/8 16:08:57
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TNM3K50W 是一款高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效开关的电路中。该器件采用了先进的制造工艺，在保证低导通电阻的同时，也具备良好的开关性能和耐压能力。
TNM3K50W 的主要特点是高击穿电压和低导通电阻，适用于各种功率转换场景。它能够承受较高的漏源电压，并且在高频开关条件下表现出优异的效率。
最大漏源电压：500V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：3.9A
导通电阻：4.5Ω
总功耗：270W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
TNM3K50W 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，支持高达 500V 的漏源电压，适用于高电压环境下的应用。
2. 低导通电阻 (Rds(on))，确保在导通状态下减少功率损耗，提高整体效率。
3. 快速开关速度，优化了开关损耗，特别适合高频应用。
4. 强大的雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计，满足现代电子产品的绿色要求。
6. 小型封装，便于 PCB 布局和散热管理。
TNM3K50W 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 各种工业自动化设备中的负载切换。
4. 电池充电器和 LED 驱动电路中的功率管理。
5. 逆变器和 UPS 系统中的功率开关。
其高耐压和低损耗的特点使其成为许多高压应用的理想选择。
IRF840,
STP3NB50,
FQA39P50
