类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

K2226-01S 具备多项优异特性，使其适用于各种高性能电源管理应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为 45mΩ，在 Vgs=10V 的驱动条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的最大漏源电压为 60V，漏极电流可达 30A，具备较强的电流承载能力，适合高功率应用场景。
　　此外，K2226-01S 的 TO-252（DPAK）封装形式具有良好的热性能，便于在 PCB 上安装和散热。该封装设计也有助于提高器件的稳定性和可靠性，适用于需要长时间运行的工业设备和电源系统。
　　该 MOSFET 还具有较高的开关速度，能够适应高频开关电路的需求，减少开关损耗并提高整体系统性能。同时，其 ±20V 的栅极电压耐受能力增强了栅极驱动的安全性，降低了因过压导致器件损坏的风险。
　　在温度适应性方面，K2226-01S 能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内工作，适用于各种严苛环境条件下的电子设备。

K2226-01S 主要应用于各类电源管理系统中，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于笔记本电脑、电源适配器、工业控制系统以及电池供电设备中的功率开关。
　　在消费类电子产品中，该 MOSFET 可用于电源管理模块，以提高能效并延长电池寿命。在工业设备中，它可用于电机控制、继电器替代以及高功率 LED 驱动电路。此外，K2226-01S 还适用于电信设备和服务器电源系统，以满足高可靠性和高效率的设计需求。
　　由于其优异的热性能和封装设计，该器件在需要高密度布局和高效散热的 PCB 设计中也表现出色，广泛用于现代电子设备的电源管理部分。

IRFZ44N, FDP3632, FQP30N06L