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NTMD4184PFR2G 发布时间 时间:2025/5/31 3:10:27 查看 阅读:14

NTMD4184PFR2G是一款由安森美(onsemi)生产的肖特基二极管,采用TO-263-2L封装形式。该器件以低正向电压降和高效率为特点,广泛应用于开关电源、太阳能逆变器以及各种需要高效整流的场景中。
  这种肖特基二极管具有快速恢复时间,能够有效减少开关损耗,同时保持较低的功耗,非常适合高频应用环境。

参数

最大正向电流:40A
  峰值反向电压:40V
  正向电压:0.53V(@40A)
  反向漏电流:1mA(@25°C)
  热阻:1°C/W
  工作结温范围:-55°C至175°C

特性

NTMD4184PFR2G采用了先进的制造工艺,具备以下显著特点:
  1. 超低正向压降,有助于降低功耗并提升系统效率。
  2. 高浪涌电流能力,确保在极端条件下的可靠性。
  3. 快速恢复特性,适合高频开关电路。
  4. 工作温度范围宽广,适应各种严苛环境。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  此外,其坚固耐用的设计使其能够在恶劣的工作条件下长时间稳定运行。

应用

该二极管适用于多种应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源中的高效整流。
  2. 太阳能逆变器中的直流-交流转换。
  3. 电机驱动电路中的续流保护。
  4. 汽车电子系统中的负载突降保护。
  5. 高频DC-DC转换器中的同步整流。
  凭借其卓越的性能表现,NTMD4184PFR2G成为许多功率转换设计的理想选择。

替代型号

NTMS4184T3G
  STPS40H40CW
  MBR4040CT

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NTMD4184PFR2G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C95 毫欧 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs4.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds360pF @ 10V
  • 功率 - 最大770mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)