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NTTFS4928NTWG 发布时间 时间:2025/6/17 9:23:47 查看 阅读:3

NTTFS4928NTWG是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效能功率控制的应用中。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,能够在高频工作条件下保持高效率和低损耗。
  这款MOSFET具备出色的热性能和电气特性,能够满足现代电子设备对小型化和高效化的严格要求。同时,它还采用了行业标准的TO-263封装形式,便于设计和装配。

参数

型号:NTTFS4928NTWG
  类型:N沟道功率MOSFET
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  Id(连续漏极电流):70A
  Qg(栅极电荷):40nC
  FOM(品质因数):1.2Ω-nC
  封装:TO-263
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

NTTFS4928NTWG具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得其在高电流应用中表现出极低的传导损耗。此外,其快速开关能力和低栅极电荷有助于减少开关损耗,从而提升整体效率。
  该器件支持高达70A的连续漏极电流,可适用于大功率场景。同时,其宽广的工作温度范围使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。
  此外,NTTFS4928NTWG还具有良好的热稳定性,确保在长时间高负载工作时仍能保持性能一致。

应用

NTTFS4928NTWG主要应用于开关电源、电机驱动、工业自动化设备以及汽车电子等领域。具体包括:
  - 高效DC-DC转换器
  - 开关模式电源(SMPS)
  - 汽车电子控制单元(ECU)
  - 工业电机控制
  - 大功率负载开关
  - 电池管理系统(BMS)

替代型号

NTTFS4928NQWG, FDP5570, IRF7722TRPBF

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NTTFS4928NTWG参数

  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds913pF @ 15V
  • 功率 - 最大810mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-WDFN(3.3x3.3)
  • 包装带卷 (TR)