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GA1210Y123MXEAT31G 发布时间 时间:2025/5/28 11:04:19 查看 阅读:8

GA1210Y123MXEAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特点,适合在高效率和高密度的电力电子系统中使用。
  其封装形式通常为TO-263(D2PAK),并具备强大的电流处理能力和良好的散热特性,有助于提高系统的整体效率和可靠性。

参数

型号:GA1210Y123MXEAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):12V
  连续漏极电流(Id):100A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):35nC
  总功耗(Ptot):150W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装:TO-263

特性

GA1210Y123MXEAT31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗,提升效率。
  2. 高电流承载能力,能够支持大功率应用。
  3. 快速开关特性,减少开关损耗。
  4. 优化的热阻设计,确保在高温环境下的稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. 封装坚固耐用,适合表面贴装或通过孔安装方式。
  这些特点使得该器件非常适合用于工业控制、汽车电子以及通信电源等场景。

应用

该芯片广泛应用于多种领域,例如:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流和主开关。
  3. 电机驱动电路中的功率输出级。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 大电流负载的控制与管理。
  6. 逆变器及不间断电源(UPS)系统。
  其卓越的性能和可靠性使其成为众多电力电子应用的理想选择。

替代型号

GA1210Y123MXEAT32G, IRFZ44N, FDP18N10

GA1210Y123MXEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-