时间：2025/4/29 19:34:27
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NTST20120CTG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 ON Semiconductor 公司生产。它广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
该器件采用 TO-263 封装形式，具备出色的散热性能，适合高功率密度的应用场合。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.4mΩ
总栅极电荷：75nC
输入电容：2940pF
输出电容：330pF
反向传输电容：37pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
NTST20120CTG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极驱动电压下仅为 1.4mΩ，可显著减少传导损耗。
2. 快速开关性能，总栅极电荷低至 75nC，有助于提高工作效率并降低开关损耗。
3. 高电流承载能力，连续漏极电流高达 28A，适用于大功率应用。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应极端环境条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. TO-263 封装提供良好的热管理和电气连接。
NTST20120CTG 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的功率开关，用于汽车电子和工业自动化设备。
3. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
4. 负载开关，用于保护下游电路免受过流或短路的影响。
5. 大功率 LED 驱动器中的开关元件。
6. 各种需要高效功率转换和低损耗的场景。
NTST20120N, IRF260N, STP20NF50
