时间：2025/5/15 15:36:22
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NTS10100EMFST1G 是一款来自 ON Semiconductor 的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电源管理应用。
这种 MOSFET 主要用于需要高效能开关的场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。其封装形式为 TO-263-3（D2PAK），能够提供良好的散热性能和电气连接能力。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：56A
导通电阻：1.4mΩ
总栅极电荷：85nC
功耗：217W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
NTS10100EMFST1G 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体效率。
此外，其快速的开关特性和低栅极电荷使得该器件在高频开关应用中表现出色。器件采用了坚固的设计以确保在恶劣环境中的可靠性，并且具备强大的浪涌能力和短路保护功能。
它的高电流处理能力以及广泛的温度适用范围，使其非常适合工业和汽车领域的各种应用。同时，该器件符合 RoHS 标准，环保且安全。
该功率 MOSFET 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机控制和驱动
4. 电池管理系统
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路
由于其高电流承载能力和高效性，NTS10100EMFST1G 在需要高性能功率转换的应用中非常受欢迎。
NTS10100E3T1G, IRF3205, FDP16N60C
