时间：2025/4/28 13:39:30
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GA0402Y681MXXAP31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 技术制造，具备低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压等特性，非常适合用于电源转换、DC-DC 转换器、无线充电以及高频逆变器等应用场景。
相比传统的硅基 MOSFET，该型号具有更低的寄生电容和更小的导通损耗，从而显著提高了系统的整体效率。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：40A
导通电阻：68mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：2000pF
反向传输电容：300pF
工作温度范围：-55℃ to +150℃
1. 高击穿电压（650V），能够承受较高的瞬态电压，适用于高压环境。
2. 极低的导通电阻（68mΩ），降低导通损耗，提升系统效率。
3. 快速开关性能，支持高达数 MHz 的开关频率，适合高频应用。
4. 小型化封装设计，有助于减少 PCB 占用面积并简化热管理。
5. 内置 ESD 保护功能，增强器件在实际应用中的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 高效 DC-DC 转换器设计，如服务器电源和通信设备电源。
2. 无线充电发射端，提供更高的能量传输效率。
3. 消费类快充适配器，支持 USB-PD 和 QC 协议。
4. 工业级逆变器及电机驱动控制电路。
5. 太阳能微逆变器，优化光伏能源转换效率。
6. 其他需要高频、高效功率处理的应用场景。
GXT0402Y681MXP31G
GZS0402Y681MXQ31G
