时间：2025/6/22 11:54:09
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NTS4101PT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的超小型单通道 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小尺寸封装设计，适用于需要高效率、低功耗和节省空间的应用场景。其主要特点包括低导通电阻（Rds(on)）、出色的开关性能以及宽工作电压范围。
该芯片非常适合用于负载开关、电源管理、电池保护电路以及便携式电子设备中的功率转换等应用。
型号：NTS4101PT1G
类型：N 沟道增强型 MOSFET
Vgs(th)（栅极阈值电压）：0.65 V 至 1.25 V
Rds(on)（导通电阻）：13 mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
最大漏源电压（Vds）：30 V
最大栅源电压（Vgs）：±8 V
最大漏电流（Id）：1.4 A（连续模式下）
封装形式：DFN1006-2 (SOT-883)
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
NTS4101PT1G 的主要特性如下：
1. 极低的导通电阻，确保了高效的功率传输，并降低了功率损耗。
2. 小巧的 DFN1006-2 封装，仅占用极少的 PCB 空间，非常适合便携式设备和高密度设计。
3. 宽的工作电压范围（最高支持 30V），使其能够适应多种应用场景。
4. 高速开关性能，适合高频 PWM 应用。
5. 支持高结温操作（高达 150°C），提升了可靠性。
6. 内部 ESD 保护电路增强了器件的抗静电能力。
NTS4101PT1G 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关和电源管理电路。
2. 电池供电设备中的电池保护和充放电管理。
3. 便携式消费电子产品中的功率转换和调节。
4. 开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器及 LED 驱动电路。
5. 数据通信设备中的信号切换和保护电路。
6. 电机驱动和工业控制中的低侧开关应用。
NTS4102PT1G, NTD4101N
