LBC846BLT1G(1B) 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。这款晶体管通常用于高频开关应用、放大器电路以及通用逻辑电路中。其封装形式为SOT-23,非常适合在空间受限的电路设计中使用。LBC846BLT1G(1B)以其高可靠性、低功耗和优异的电气性能而闻名,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
类型:NPN型晶体管
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极-基极电压(Vcb):30V
最大功耗(Ptot):300mW
电流增益(hFE):110-800(根据不同的工作点)
频率响应:250MHz(最小)
封装类型:SOT-23
LBC846BLT1G(1B) 晶体管具有多项优异的电气特性,使其在高频开关和放大应用中表现出色。其高频响应能力达到250MHz,适用于需要快速切换的电路设计。该晶体管的电流增益范围广泛,从110到800不等,具体取决于工作点的选择,这使得它在不同类型的放大器电路中都非常灵活。此外,该晶体管具有较低的饱和压降(Vce_sat),确保了在开关应用中具有较高的效率。LBC846BLT1G(1B)的SOT-23封装不仅体积小巧,还具备良好的热稳定性和机械强度,适合表面贴装工艺(SMT),有助于提高生产效率和电路板的可靠性。
该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在较为恶劣的环境条件下稳定工作,因此在工业级应用中表现出色。其最大集电极电流为100mA,最大集电极-发射极电压为30V,使其能够承受一定的电压和电流应力,适用于多种电源管理和信号处理应用。
值得一提的是,LBC846BLT1G(1B)在低功耗设计方面也表现出色,能够在较低的电源电压下正常工作,有助于延长电池供电设备的使用寿命。
LBC846BLT1G(1B) 广泛应用于各种电子设备和系统中。其高频特性使其非常适合用于射频(RF)放大器、振荡器和混频器等通信相关电路。在数字电路中,该晶体管常用于逻辑门、缓冲器和驱动器,作为开关元件使用。由于其良好的电流放大能力,它也被广泛用于音频放大器、传感器接口电路和电源管理模块。此外,该晶体管还常用于LED驱动、继电器控制以及各种工业自动化控制电路中。
在消费电子产品中,LBC846BLT1G(1B)可用于智能手机、平板电脑、无线耳机、智能手表等设备的信号处理和电源管理部分。在汽车电子领域,它可用于车载娱乐系统、车身控制模块以及传感器信号处理电路。由于其工作温度范围宽,也适合用于户外设备和工业控制系统中。
BC846BLT1, 2N3904, 2N2222, MMBT3904, PN2222