时间：2025/5/29 22:25:59
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NTS260SFT3G是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的制程工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种高效能开关应用。NTS260SFT3G封装为TO-263-3L（DPAK），适合表面贴装技术（SMT），并且在散热性能上有显著优势。
这款MOSFET主要针对消费电子、通信设备以及工业应用领域设计，其高效率与稳定性使其成为电源管理、电机驱动以及其他需要高频切换场合的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5.9A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：18nC
开关时间：典型值t_on=18ns，t_off=41ns
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 超低导通电阻（Rds(on)）确保了高效的功率转换，并减少热损耗。
2. 快速开关能力使其能够适应高频应用场景。
3. 高雪崩能量等级增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 符合RoHS标准，满足环保要求。
5. 提供卓越的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持良好的性能表现。
6. 封装形式紧凑，适合现代小型化电路板设计需求。
NTS260SFT3G广泛应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器（DC-DC converters）。
3. 电池保护及充电管理电路。
4. 各类电机驱动控制。
5. 工业自动化设备中的负载开关。
6. 电信系统中用于信号调节或电源管理的部分。
7. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等。
NTMFS4827N, IRF7404, FDMC8820
