时间：2025/7/10 21:14:44
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SI4884BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，属于 SiHF 系列。该器件采用小型化的 TSSOP7 封装形式，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，广泛应用于高频开关电路、DC-DC 转换器、负载开关及电机驱动等领域。
该器件的设计目标是满足高效能功率转换需求，同时提供出色的热性能与电气性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：6.2A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：4nC
总电容：380pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TSSOP7
SI4884BDY-T1-E3 提供了非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得其在大电流应用中能够减少功耗并提高效率。此外，该器件还具备以下特点：
1. 快速开关速度，适合高频应用。
2. 低栅极电荷，有助于降低驱动损耗。
3. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
4. 内部设计优化，能够在高频率和高温环境下保持稳定性。
5. 支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
这些特性使其非常适合用作高效的功率开关元件。
SI4884BDY-T1-E3 的典型应用场景包括：
1. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关元件。
2. 电池供电设备中的负载开关或保护开关。
3. 高效电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各种便携式电子设备中的电源管理模块。
5. 工业控制领域中的功率转换与信号切换组件。
由于其低导通电阻和快速开关能力，这款 MOSFET 在需要高效率和小尺寸解决方案的应用中表现尤为出色。
SI4886DY, SI4446DY
