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VS6410GS 发布时间 时间:2025/8/2 5:02:44 查看 阅读:33

VS6410GS 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件主要用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统中,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备。VS6410GS 采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻 (Rds(on)) 和优异的热性能,适用于高频开关应用。该器件采用 8 引脚 PowerPAK 封装,具有良好的散热能力。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压 (Vds):60 V
  栅源电压 (Vgs):±20 V
  连续漏极电流 (Id):10 A
  导通电阻 (Rds(on)):32 mΩ @ Vgs=10V
  功率耗散:3.5 W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:8-PowerPAK

特性

VS6410GS 具备多项优异特性,使其在功率管理应用中表现出色。
  首先,其低导通电阻 (Rds(on)) 为 32 mΩ,在 10V 栅极驱动电压下能够显著降低导通损耗,提高系统效率。这种特性对于高频开关应用尤其重要,因为它可以减少能量损耗并提高整体性能。
  其次,VS6410GS 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,提供了更高的电流密度和更低的开关损耗。这种技术使得器件在高负载条件下仍能保持良好的稳定性和可靠性。
  此外,该器件的封装设计优化了散热性能。8-PowerPAK 封装具有良好的热导性能,能够快速将热量从芯片传导到外部环境,从而防止器件在高功率操作下过热。这种特性使得 VS6410GS 在高功率密度应用中表现出色。
  最后,VS6410GS 的栅极驱动电压范围较宽,支持 ±20V 的最大栅源电压,这使其适用于多种栅极驱动电路,并提高了设计的灵活性。

应用

VS6410GS 广泛应用于多种电力电子系统中。常见的应用包括 DC-DC 转换器,其中该器件用于高侧或低侧开关,以提高转换效率。在负载开关电路中,VS6410GS 可以作为高效的电子开关,实现对负载的快速控制并减少静态电流损耗。此外,该器件也适用于电机控制应用,如电动工具、机器人和自动化设备中的驱动电路。在电池管理系统中,VS6410GS 可用于保护电路,防止过载和短路情况下的损坏。它还常用于电源管理模块、电源适配器、UPS 系统以及工业控制设备中。

替代型号

Si4410BDY, IRF7413PbF, FDS6680, AO4406

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