NTS260ESFT1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率、高频开关晶体管,专为电源管理应用设计。该器件采用了增强型 GaN FET 技术,具备超低导通电阻和快速开关速度,能够显著提高功率转换系统的效率和功率密度。
这款晶体管采用常关 (normally-off) 结构,具有出色的可靠性和稳定性,适合要求高性能和高效能的应用场景。
型号:NTS260ESFT1G
类型:增强型 GaN HEMT
Vds(漏源电压):600 V
Rds(on)(导通电阻):160 mΩ
Id(连续漏极电流):8 A
Qg(栅极电荷):35 nC
Ciss(输入电容):4950 pF
Coss(输出电容):320 pF
结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-263-3
NTS260ESFT1G 的主要特性包括:
1. 高击穿电压:支持高达 600V 的漏源电压,适用于高压环境。
2. 超低导通电阻:仅为 160mΩ,可有效降低传导损耗。
3. 快速开关性能:得益于 GaN 材料的特性,开关频率可以达到 MHz 级别,适合高频应用。
4. 常关型设计:确保了更高的安全性和可靠性。
5. 高温适应性:工作温度范围宽广,最高可达 175°C,适合恶劣的工作环境。
6. 小尺寸封装:采用 TO-263-3 封装,节省空间并简化 PCB 设计。
这些特性使得 NTS260ESFT1G 在高效率电源系统中表现优异,特别适合需要小型化和轻量化的应用。
NTS260ESFT1G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):
- AC/DC 和 DC/DC 转换器
- PFC(功率因数校正)电路
2. 充电器:
- 快速充电器
- 笔记本电脑适配器
3. 电机驱动:
- 工业自动化设备
- 伺服驱动器
4. 可再生能源:
- 太阳能逆变器
- 风力发电控制器
5. 汽车电子:
- 车载充电器 (OBC)
- DC/DC 转换器
NTS260ESFT1G 凭借其卓越的性能,在上述应用场景中提供更高的效率和更小的体积解决方案。
NTMFS4C602N
SiC442D
GAN063-650WSA