BSG0812ND是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型化SOT-23封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特性,适合在低压、高频应用中使用。其典型应用场景包括开关电源、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的功率管理电路。
BSG0812ND的漏源极耐压为80V,能够承受一定范围内的电压波动,同时具备较低的导通电阻以减少功率损耗,提高系统效率。
最大漏源极电压:80V
最大栅源极电压:±20V
持续漏电流:1.6A
导通电阻(Rds(on)):0.9Ω(典型值,当Vgs=10V时)
总功耗:430mW(Tc=25℃)
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:SOT-23
BSG0812ND的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,确保在高电流应用中有较小的功率损耗。
2. 高速开关性能,支持高频操作,适用于现代高效能转换器。
3. 小型化的SOT-23封装,便于在空间受限的设计中使用。
4. 较宽的工作温度范围,适应各种环境条件下的稳定运行。
5. 静电防护能力较强,有助于提升产品的可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
该MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和初级侧开关。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 负载开关,用于控制电路的通断状态。
4. 过流保护电路和短路保护设计。
5. 电池供电设备中的功率管理模块。
6. 信号切换和隔离应用,如音频或视频信号切换。
7. 小型电机驱动及控制电路。
由于其出色的电气特性和紧凑的封装尺寸,BSG0812ND非常适合于消费类电子产品、通信设备以及工业控制等领域的多种应用。
AO3400A, IRLML6402TRPBF, FDN340P