类型：光电晶体管输出光耦合器
　　电流传输比（CTR）：50% - 600%（典型值）
　　正向电流（IF）：50 mA
　　集电极-发射极电压（Vce）：35 V
　　最大功耗：100 mW
　　隔离电压：5000 VRMS
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：4引脚DIP（SOP）
　　响应时间：约4 μs
　　发光二极管正向压降：1.2 V（典型值）
　　光电晶体管集电极电流：100 mA

S-LTV-817M-C-G 是一款高性能的光耦合器，广泛应用于各类电子设备中。其主要特性包括高效的光电转换能力、稳定的电流传输比（CTR）和优异的电气隔离性能。该器件的CTR范围较宽（50%-600%），使其在不同应用场景中具有较高的灵活性。由于采用了红外LED和硅光电晶体管的组合，S-LTV-817M-C-G 在信号传输过程中具有快速的响应时间，通常在4微秒以内，适用于对响应速度有一定要求的系统。
　　该光耦合器的隔离电压高达5000 VRMS，能够有效隔离高压侧与低压侧电路，保护系统安全和用户设备免受高电压影响。此外，S-LTV-817M-C-G 采用小型DIP或SOP封装形式，适合在PCB上进行紧凑布局，特别适用于空间受限的设计。其工作温度范围宽达-55°C至+125°C，确保了在各种环境条件下的稳定运行。
　　在可靠性方面，S-LTV-817M-C-G 具有良好的抗电磁干扰（EMI）能力，能够在复杂的电磁环境中保持稳定的信号传输性能。其最大功耗为100 mW，符合低功耗设计趋势。该器件的光电晶体管部分具有较高的集电极电流能力（最大100 mA），可以驱动多个后级电路元件，简化外围电路设计。

S-LTV-817M-C-G 光耦合器因其出色的电气隔离性能和稳定的信号传输能力，被广泛应用于多个领域。在电源管理电路中，它常用于隔离交流和直流部分，保护控制系统免受电源侧高压影响。例如，在开关电源（SMPS）中，S-LTV-817M-C-G 可用于反馈控制电路，实现初级侧和次级侧的信号隔离。
　　在工业自动化和控制系统中，该光耦合器可用于隔离PLC（可编程逻辑控制器）与外部传感器或执行器之间的信号传输，提高系统的稳定性和安全性。在通信设备中，S-LTV-817M-C-G 可用于隔离不同电压域的电路，防止接地回路干扰。
　　此外，该器件还广泛应用于家电、智能电表、电机控制、医疗设备和安全系统等领域。例如，在智能电表中，它可以用于隔离测量电路与通信模块，确保数据采集的准确性和系统的安全性。在医疗设备中，S-LTV-817M-C-G 可用于隔离患者接触部分与控制部分，确保设备符合安全标准。

TLP185B, PC817X, LTV-817S, EL817C