时间：2025/4/30 10:06:22
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SI7101DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用微型封装设计，适用于各种高效能开关和功率管理应用。其低导通电阻和高效率特性使其在消费电子、工业设备以及通信系统中广泛使用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.5A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：10nC
总功耗：980mW
工作结温范围：-55℃至+150℃
SI7101DN-T1-GE3 的主要特性包括低导通电阻 (Rds(on))，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
此外，其快速开关能力和低栅极电荷使得该器件非常适合高频开关应用。
该 MOSFET 还具有出色的热稳定性和低噪声性能，能够在紧凑的设计中提供可靠的操作。
它采用了小尺寸的 SOT-23 封装，节省了 PCB 空间并简化了布局设计。
该 MOSFET 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电源管理和电池保护电路等应用。
由于其低导通电阻和小型化封装，它特别适合便携式电子设备中的高效能开关需求。
同时，它也适用于需要高可靠性和高效率的工业和汽车电子领域。
SI2305DS-T1-E3
Si2307DS
IRLML6402TRPBF
