您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NTR5198N

NTR5198N 发布时间 时间:2025/5/23 21:13:30 查看 阅读:16

NTR5198N是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电子电路中,例如开关电源、电机驱动和负载切换等。它采用TO-252封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。
  该器件通过在栅极施加正电压来开启通道,允许电流从漏极流向源极。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高效率,并且能够在较宽的电压范围内稳定工作。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:6.7A
  导通电阻:0.12Ω
  总功耗:1.3W
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

NTR5198N具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))可以有效降低导通时的能量损耗,从而提高整体系统效率。
  2. 采用小型化的TO-252表面贴装封装,适合高密度电路板设计,节省空间。
  3. 较高的电流承载能力使其能够适应更广泛的应用场景,包括大功率负载控制。
  4. 工作温度范围广,支持从低温环境到高温环境下的稳定运行。
  5. 快速开关速度减少了开关损耗,适用于高频应用场合。
  6. 具备良好的电气特性和热性能,确保长时间可靠运行。

应用

NTR5198N主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器或开关元件。
  2. DC-DC转换器中的功率级开关。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  4. 电机驱动电路中的功率控制开关。
  5. 各种消费类电子产品中的保护开关,如过流保护、短路保护等。
  6. 汽车电子设备中的信号切换与功率管理模块。
  7. 工业自动化设备中的继电器替代方案及功率分配控制。

替代型号

NTR5199N
  NTR5200N
  IRLZ44N
  FDP5570N

NTR5198N推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NTR5198N资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载