时间：2025/6/11 19:47:26
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BD4719G-TR是罗姆（ROHM）公司生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-263-3小型表面贴装封装形式，具有低导通电阻、高电流承载能力以及出色的开关性能等特性，适用于各种需要高效能功率转换的应用场景。
BD4719G-TR特别适合用于电机驱动、负载开关、DC-DC转换器和电池保护电路等应用中，其高效的导通特性和耐用性使其成为现代电力电子设计中的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：30A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：18nC
总功耗：20W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-263-3
BD4719G-TR是一款高性能的功率MOSFET器件，主要特性如下：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下为8mΩ，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 支持高达30A的连续漏极电流，确保能够处理大电流应用。
3. 高速开关能力，具备较低的栅极电荷，可以实现快速开关操作，降低开关损耗。
4. 宽泛的工作结温范围（-55℃至+175℃），保证在极端温度条件下的稳定运行。
5. 表面贴装型TO-263-3封装，便于自动化生产和紧凑型设计。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
BD4719G-TR广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 电机驱动电路，用于控制直流或无刷直流电机的运行。
2. 负载开关，在电源管理系统中实现快速开启与关闭功能。
3. DC-DC转换器，用作高效功率转换的核心元件。
4. 电池保护电路，防止过流、短路等情况对电池造成损害。
5. 各种工业设备和消费类电子产品中的功率管理模块。
BD4718G-TR, IRFZ44N, STP30NF06L
