TT250N08KOF 时间：2025/8/23 17:37:36 阅读：8

TT250N08KOF 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高功率和高频率的电力电子应用。该器件采用 TO-247 封装，具有低导通电阻、高电流容量和良好的热性能，适用于电源转换器、电机控制、DC-DC 转换器和逆变器等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：80V
　　最大漏极电流 Id：250A
　　导通电阻 Rds(on)：最大 2.8mΩ（在 Vgs=10V）
　　栅极电荷 Qg：典型值 115nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-247
　　功耗（Pd）：300W

特性

TT250N08KOF 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下导通损耗大大降低，从而提高了整体效率。此外，该器件的高电流容量（250A）和强大的热管理能力确保了其在高功率密度应用中的稳定性和可靠性。
　　该 MOSFET 采用先进的沟槽栅技术，优化了开关性能，降低了开关损耗。其栅极电荷（Qg）较低，有助于在高频应用中实现快速开关，同时减少驱动电路的负担。此外，该器件具有良好的短路耐受能力，增强了其在严苛工作环境下的鲁棒性。
　　TT250N08KOF 还具备优异的雪崩能量承受能力，使其在突发过压或负载突变的情况下仍能保持稳定运行。TO-247 封装提供了良好的散热性能和机械强度，适用于工业级和汽车级应用。

应用

TT250N08KOF 主要应用于高功率电力电子系统中，例如服务器电源、通信电源、工业电机驱动、DC-DC 转换器、逆变器、电池管理系统（BMS）以及电动工具和电动汽车的功率模块。由于其高效率和高可靠性，它也常用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电焊机等设备中。
　　在服务器和通信电源系统中，该器件可作为主功率开关，提供高效率的能量转换。在电机控制和电动车应用中，它可以作为 H 桥或逆变器中的开关，实现对电机的精确控制。在电池管理系统中，TT250N08KOF 可用于高电流的充放电控制。此外，在工业自动化设备中，该 MOSFET 可作为高频开关，提升系统响应速度和能效。