时间：2025/6/30 23:43:09
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NTR1P02LT1G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由ON Semiconductor公司生产。该器件采用小尺寸的SOT-23封装形式，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于便携式设备、消费电子以及需要高效功率转换的应用场景。
由于其出色的性能和紧凑的封装设计，这款MOSFET广泛应用于负载开关、电池保护电路、DC-DC转换器以及其他低电压应用中。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.6A
导通电阻：175mΩ（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：3.9nC（典型值）
总功耗：420mW
工作结温范围：-55℃至150℃
NTR1P02LT1G采用了先进的制造工艺，具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输，减少了能量损耗。
2. 快速的开关速度降低了开关损耗，提升了系统效率。
3. 小型SOT-23封装使得它非常适合空间受限的设计。
4. 高静电防护能力增强了产品的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且适用于全球市场。
这款MOSFET的主要应用领域包括：
1. 消费类电子产品中的电源管理单元。
2. 手机、平板电脑和其他便携式设备中的负载开关。
3. 电池管理系统中的保护电路。
4. DC-DC转换器和升压/降压转换器。
5. LED驱动器和小型电机控制。
6. 各种工业和通信设备中的信号切换与隔离。
NTR1P02LT1G, NTR1P02LT1GTR, NTR1P02LTT1G
