IRF6691TR1 时间：2025/4/28 18:51:53 阅读：3

IRF6691TR1是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TrenchFET Gen IV技术，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种高效能功率转换应用。其封装形式为TO-252 (DPAK)，适合表面贴装工艺。
　　IRF6691TR1的主要特点是其极低的导通电阻Rds(on)（在典型条件下约为4.5mΩ），这使其在降低传导损耗方面表现优异。此外，该器件还具有较低的栅极电荷Qg，有助于提高开关效率。

参数

型号：IRF6691TR1
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　VDS（漏源极电压）：60V
　　Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　ID（连续漏电流）：107A
　　Qg（栅极电荷）：28nC
　　VGS（栅源极电压）：±20V
　　fT（截止频率）：3.1MHz
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

IRF6691TR1采用了先进的TrenchFET Gen IV技术，提供以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，能够在大电流应用中有效降低功耗。
　　2. 较低的栅极电荷Qg，有助于实现快速开关性能，减少开关损耗。
　　3. 高额定电流能力（ID=107A），支持高功率密度设计。
　　4. 宽工作温度范围（-55°C至+175°C），确保在极端环境下的可靠性。
　　5. 表面贴装封装形式（TO-252），简化了自动化生产和组装流程。
　　这些特性使IRF6691TR1非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电源管理等应用领域。

应用

IRF6691TR1广泛应用于需要高效功率转换和处理大电流的场景，主要应用包括：
　　1. 服务器和通信设备中的电源模块。
　　2. 工业控制系统的功率级应用。
　　3. 汽车电子系统中的负载切换。
　　4. 笔记本电脑适配器和其他消费类电子产品中的DC-DC转换。
　　5. 各种类型的电机驱动电路。
　　由于其出色的性能和可靠性，IRF6691TR1成为众多工程师在设计高性能功率转换解决方案时的首选。