时间：2025/7/17 18:53:52
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IPW65R041CFD7 是英飞凌（Infineon）公司推出的一款高性能功率MOSFET器件，采用CoolMOS?技术，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。该器件广泛应用于电源转换、电机控制、工业自动化以及高效能电源系统中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：41mΩ
栅极电荷(Qg)：120nC
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
IPW65R041CFD7具有多项先进特性，首先其采用了英飞凌领先的CoolMOS?技术，相较于传统硅基MOSFET显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体效率。其次，该器件拥有较低的导通电阻（Rds(on)）为41mΩ，使得在高电流应用中发热更少，可靠性更高。
此外，该MOSFET具备良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行，并减少对散热器的依赖，从而降低系统成本。其较高的栅极电荷（Qg）值也意味着更快的开关速度，有助于提高系统的响应能力和能量转换效率。
该器件还集成了快速恢复二极管（Fast Body Diode），有效减少了外部电路的复杂性，并优化了反向电流处理能力。这些特性共同作用，使得IPW65R041CFD7非常适合用于高频开关电源、同步整流器、DC-DC转换器等高要求的应用场景。
IPW65R041CFD7主要应用于各种高功率和高频率的电子系统中，包括但不限于：服务器电源、电信设备电源、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动器、LED照明驱动电路、电池充电器以及电动车电源管理系统等。由于其高效的能量转换特性和优良的热稳定性，它也是许多节能型电子产品中的首选功率器件。
IPW65R045CFD7, IPW65R060CFD7
